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zetex高性能晶体管有效提升电源功率密度
2007-8-22 20:23:37
   
      

    模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetexsemiconductors(捷特科)公司,推出一系列微型npn及pnp晶体管,以迎合新一代电源设备中mosfet栅极驱动需求。全新的zxtn及zxtp晶体管是首次采用sot23ff封装的双极器件,占板面积为2.5×3mm,板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持,有助于改善电路效率和降低工作温度。    

    zetex亚太区销售副总裁李锦华表示:“我们最新的双极晶体管能够支持20v至100v的工作电压,使mosfet栅极能以更高速度、更具效率地运行,胜过同类cmos集成电路。它们同时还具有抗锁定功能,从而提升整个系统的可靠性。另外,由于产品采用sot23ff封装,因此可以安装在最靠近mosfet的位置,有助于降低线路电感和振铃效应。”    

    

    20v的zxtn19020cff和zxtp19020cff能保证在7a和5a电流下分别提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接,它们更能提供极快速的切换,传播时间少于2ns,升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15a,是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。
        

    在用于poldc-dc模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中,晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势。以额定电压为60v的zxtn19060cffnpn产品为例,它在1a电流和10ma基极驱动下的饱和电压仅为150mv,在2a电流和40ma基极驱动下为135mv。    

    

  
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